Technologies pour la CAO

Les travaux de recherche visent à développer des modèles compacts pour les dispositifs consacrés aux circuits analogiques et mixtes. L’objectif est d’apporter des solutions simples, numériquement efficaces et proches de la physique du dispositif. Le premier sujet de recherches traite de la modélisation compacte des transistors MOSFET conventionnels, dits bulk, fortement submicroniques. Il fait l’objet d’une collaboration étroite avec le groupe EKV (LEG-EPFL). Parallèlement à la modélisation compacte des dispositifs CMOS fortement submicroniques, l’étude et la modélisation des transistors multi-grilles (MOSFET à double grille, FinFET) et des transistors à nanotubes de carbone (CNTFET) sont devenues prioritaires. Ces dispositifs devant succéder aux MOSFET conventionnels, ils exigent un effort de recherche important. Il est donc indispensable de développer des modèles performants prenant en compte les nouvelles caractéristiques de ces dispositifs dans le but d’établir un lien fort entre les aspects technologiques et systèmes. Un autre sujet de recherches concerne la modélisation des systèmes à signaux mixtes avec le langage VHDL-AMS. Et enfin, le dernier sujet de recherche concerne la biologie synthétique et l'élaboration des outils CAO associés.

MOSFET Bulk

Ce thème de recherche est dédié à la modélisation compacte de MOSFET conventionnels, dits bulk, fortement submicroniques en vue de leur utilisation pour la conception de circuits analogiques et mixtes. L’objectif principal est d’apporter des solutions simples, numériquement efficaces et proches de la physique du dispositif.

L’équipe est impliquée dans le groupe de travail Européen MOS-AK dédié à la modélisation du MOSFET-Bulk et à la caractérisation Lien. En 2005 elle a organisé une rencontre MOS-AK à Strasbourg en coopération avec l’école d’ingénieurs Télécom Physique Strasbourg Lien.

L’équipe est par ailleurs associée au groupe EKV (LEG-EPFL). Une version bêta du modèle MOS EKV v2.6 développée en VHDL-AMS peut être obtenue par téléchargement Lien.

Transistors Multi-grilles (MuGFET)

Structure 3D du FinFET

Ce thème de recherche est dédié à la modélisation compacte de transistors multi-grilles (MOSFETs à double grille, FinFET) nanométriques en vue de leur utilisation pour la conception de circuits analogiques et mixtes. L’objectif principal est d’apporter des solutions simples, numériquement efficaces et proches de la physique du dispositif.

Depuis décembre 2008, nous sommes impliqué dans le projet Européen COMON (COmpact MOdelling Network) de type FP7 - IAPP Marie Curie) Lien.

Résumé du projet: Développement d’une chaîne de développement complète de modélisation compacte de technologies CMOS et III-V avancées, du niveau technologique au niveau système. Ce projet est composé de 15 partenaires européens: 9 laboratoires universitaires, 6 industriels.

Notre groupe travaille sur le WP relatif à la modélisation compacte des transistors DG-MOSFET et FinFET.

CNTFET

Les nanotechnologies sont un secteur innovant et prometteur qui présente de nombreuses perspectives d’applications. Afin que les attentes à leur égard deviennent des réalités, un important effort de recherche fondamentale et appliquée est au préalable nécessaire. Les transistors à effet de champ à base de nanotubes de carbone (Carbon NanoTube Field Effet Transistors, CNTFET) figurent aujourd’hui parmi les dispositifs susceptibles de remplacer la technologie CMOS.

De septembre 2004 à septembre 2006, notre équipe a fait partie du projet français Nanosys "Architectures pour l'intégration des nanocomposants moléculaires" Lien. Ce projet avait pour objectif de produire une description détaillée d’une électronique nouvelle s’appuyant sur les CNTFET. En particulier, nous nous sommes concentrés sur le développement d’un modèle compact et proche de la physique des CNTFET.
Depuis mars 2010, nous sommes dans le projet ANR CAPTEX : "Réalisation d’un Multi-CAPTeur intelligent de traces d’EXplosifs hautement sélectif et sensible à base de matrices de transistors à nanotubes de carbone Lien.

Multicapteur à base de réseaux CNTFETs

Résumé général du projet CAPTEX

Le projet CAPTEX propose d’apporter une solution innovante au problème de la détection des traces d’explosifs à base de peroxydes. L’objectif principal du projet est la réalisation d’un dispositif intelligent pour la détection de traces de ce type d’explosifs qui puisse garantir une mesure rapide, sélective et très sensible. A ce jour, aucun dispositif efficace n’existe pour la détection des traces de ces substances, comme le montre clairement l’analyse de l’état de l’art. Dans le cadre du projet CAPTEX, nous visons la réalisation d’un capteur intégré qui sera embarqué sur un véhicule robotisé mobile pour la détection de traces à distance. Plus précisément, nous voulons fabriquer des capteurs ultra compacts fonctionnant à température ambiante, caractérisés par une très faible consommation (< 1mmW), rapides (quelques secondes pour le temps de réponse et une minute environ pour la remise à zéro), hautement sensibles et sélectifs.

Modélisation compacte en VHDL-AMS, et en Verilog-A

Parallèlement au développement de modèles compacts, les travaux visent également à mettre au point des solutions efficaces pour la modélisation des systèmes à signaux mixtes avec les langages VHDL-AMS, ou Verilog-A.

Dans le prolongement de sa participation à la mise au point du modèle MOS EKV v2.6, Christophe Lallement¹ a développé avec François Pêcheux² plusieurs versions de ce modèle (avec ou sans les interactions thermo-électriques) dans le langage VHDL-AMS. Des documents sur ces versions du modèle MOSFET EKV v2.6 peuvent être téléchargés ci-dessous :

Différentes versions du modèle MOSFET EKV v2.6 en VHDL-AMS

Les modèles VHDL-AMS, avec ou sans les interactions thermo-électriques, sont discutés dans le chapitre 9 du livre Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design publié par Springer Lien. Les versions bêta du modèle MOSFET EKV v2.6 développé en VHDL-AMS(C. Lallement, F. Pêcheux), avec ou sans les interactions thermo-électriques, sont consultables ici Lien.

¹ Christophe Lallement est l’un des auteurs du modèle MOSFET EKV v2.6.

² François Pêcheux est au ASIM/LIP6, Département Architecture des Systèmes Intégrés et Micro-électronique, Laboratoire d’Informatique de Paris 6, France

D’autres documents sur la modélisation compacte peuvent également être téléchargés ci-dessous :

Documentation EKV 2.6 The EPFL-EKV MOSFET Model Equations for Simulation (M. Bucher, C. Lallement, C. Enz, F. Théodoloz, F. Krummenacher) Lien.

Version bêta d’une version simplifiée du modèle MM11 avec les effets quantiques développé en VHDL-AMS (F. Prégaldiny, C. Lallement) Lien. Cette étude est une version simplifiée du modèle Philips MM11 qui prend en compte les effets quantiques. MM11 est un modèle compact de MOSFET basé sur la formulation du potentiel de surface.

Publication de référence sur les VHDL-AMS et Verilog-AMS:

"VHDL-AMS and Verilog-AMS as alternative hardware description languages for efficient modeling of multidiscipline systems", F. Pêcheux, C. Lallement, A. Vachoux, IEEE Trans. Comput.-aided Des. Integr. Circuits Syst. 24(2005)204.

Le schéma du système airbag étudié dans l'article est donné ci-après :

Biologie synthétique

La biologie synthétique est une science récente, issue du rapprochement entre les biotechnologies et les sciences pour l’ingénieur. Elle tend à créer des organismes nouveaux par une combinaison rationnelle d’éléments biologiques standardisés qui sont découplés de leur contexte naturel. Il s’agit d’une extension de la biotechnologie, avec le but ultime d’être capable de concevoir et construire des systèmes biologiques fabriqués qui traitent l’information, manipulent les éléments chimiques, produisent de l’énergie, fournissent de la nourriture et maintiennent et améliorent la santé humaine et notre environnement.

Depuis 2008 notre équipe travaille sur la modélisation de dispositifs biologiques, ayant pour but de fournir des modèles adaptés et efficaces pour la biologie synthétique, aux outils d'aide à la conception qui sont développé au sein de la thématique Technologie de la conception.

Nous avons déjà participé à trois éditions de l’iGEM (international Genetically Engineered Machine competition) en 2008, 2010 Lien, et 2011 Lien organisé par le MIT.

Publications de la thématique

Publications depuis 2000

2013

2012

CHEVILLON N., SALLESE J.-M., LALLEMENT C., PRÉGALDINY F., MADEC M., SEDLMEIR J. and AGHASSI J.

Generalization of the Concept of Equivalent Thickness and Capacitance to Multigate MOSFETs Modeling

IEEE Transaction on Electron Devices, vol. 59, N° 1, pages 60-71, 2012 Lien

HEITZ J., DUMAS N., FRICK V., LALLEMENT C., HÉBRARD L.,

Modeling and optimization of a Ker charge pump loaded by a resistive circuit,

19th IEEE International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES'2012), Warsaw (Poland), May 24-26, 2012, Proc. pp. 376-381. Lien

MADEC M., SCHELL J.B., KAMMERER J.B., LALLEMENT C., HÉBRARD L.,

Compact modeling of vertical Hall-effect devices: Electrical behavior,

10th IEEE International NEWCAS Conference (NEWCAS 2012), Montreal (Canada), June 17-20, 2012, Proc. pp. 213-216. Lien

2011

GENDRAULT Y., MADEC M., LALLEMENT C., PÊCHEUX F., HAIECH J.,

Synthetic biology methodology and model refinement based on microelectronic modeling tools and languages

Biotechnologies Journal, vol. 6, pp. 796-806, 2011. Lien

HEITZ J., LEROY Y., HÉBRARD L., LALLEMENT C.,

Theoretical characterization of the topology of connected carbon nanotubes in random networks,

Nanotechnology 22, 345703, pages 1-7, 2011. Lien

SALLESE J.-M., CHEVILLON N., LALLEMENT C., IÑIGUEZ B., PRÉGALDINY F.,

Charge Based Modelling of Junctionless Double Gate Field-Effect Transistors,

IEEE Transactions on Electron Devices,vol. 58, pages 2628-2637, août 2011.Lien

YESAYAN A., PRÉGALDINY F., CHEVILLON N., LALLEMENT C., SALLESE J.-M.,

Physics-based compact model for ultra-scaled finFETs,

Solid-State Electronics, vol. 62, pages 165-173, août 2011.Lien

SALLESE J.M., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C.

Double-gate MOSFETs for SOI technologies

Nano-Tera Workshop on the Next Generation MOSFET Compact Models, Lausanne (Switzerland), December 15-16, 2011. Lien

2010

SALLESE J.M., CHEVILLON N., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., IÑIGUEZ B.,

The equivalent-thickness concept for doped symmetric DG MOSFETs,

IEEE Transactions on Electron Devices 57, 2010, pp. 2917-2924. Lien.

GENDRAULT Y., MADEC M., LALLEMENT C., HAIECH J.,

A design kit for synthetic biology,

International Conference on Synthetic Biology, Evry (France), December 15-16, 2010.

GENDRAULT Y., MADEC M., LALLEMENT C., HAIECH J.,

Multi-abstraction modeling in synthetic biology,

3rd IEEE International Symposium on Applied Sciences in Biomedical and Communication Technologies (ISABEL 2010), Rome (Italy), November 7-10, 2010, Proc. pp. 1-5. Lien

MADEC M., GENDRAULT Y., LALLEMENT C., HAIECH J.,

Design methodology and modeling for synthetic biosystems,

Int. J. Microelectron. Comput. Sci. 1, 2010, pp. 147-155.

MADEC M., LALLEMENT C., GENDRAULT Y., HAIECH J.,

La microélectronique et la biologie synthétique,

Conference Savoir en commun "Le Corps", Strasbourg (France), November 18, 2010. Lien

MADEC M., LALLEMENT C., GENDRAULT Y., HAIECH J.,

Design methodology for synthetic biosystems,

17th IEEE International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES'2010), Wrocaw (Poland), June 24-26, 2010, Proc. pp. 621-626. Lien

PÊCHEUX F., MADEC M., LALLEMENT C.,

Is SystemC-AMS an appropriate "promoter" for the modeling and simulation of bio-compatible systems?,

IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2010), Paris (France), May 30 - June 2, 2010, Proc. pp. 1791-1794. Lien

YESAYAN A., CHEVILLON N., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C.,

Compact physics-based model for ultrashort FinFETs,

17th IEEE International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES'2010), Wroclaw (Poland), June 24-26, 2010, Proc. pp. 75-80. Lien

2009

TANG M., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., SALLESE J.M.,

Explicit compact model for ultranarrow body FinFETs,

IEEE Transactions on Electron Devices 56, 2009, pp. 1543-1547. Lien.

CHEVILLON N., TANG M., PRÉGALDINY F., MADEC M., LALLEMENT C.,

Modèle compact de FinFET et extraction de paramètres,

Journées-atelier des Groupement de Recherche SiP SoC et Nanoélectronique, Bordeaux (France), December 9-11, 2009.

CHEVILLON N., TANG M., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., MADEC M.,

FinFET compact modeling and parameter extraction,

16th IEEE International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES'2009), Lodz (Poland), June 25-27, 2009, Proc. pp. 55-60, papier invité. Lien

LALLEMENT C.,

Modélisation compacte FINFET,

Journées-atelier des Groupement de Recherche SiP SoC et Nanoélectronique, Bordeaux (France), December 9-11, 2009, papier invité.

MADEC M., LALLEMENT C., KARSTENS K., DITTMAN S., GERSBACHER M., SORG R., WILD M., MULLER M., BOURGINE P., DONZEAU M., HAIECH J.,

Synthetic biology and microelectronics: A similar design flow,

Joint 7th International IEEE Northeast Workshop on Circuits and Systems and TAISA Conference (NEWCAS-TAISA'09), Toulouse (France), June 28 - July 1, 2009, Proc. pp. 1-4. Lien

TANG M., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., SALLESE J.M.,

Quantum compact model for ultra-narrow body FinFET,

10th IEEE International Conference on ULtimate Integration of Silicon (ULIS09), Aachen (Germany), March 18-20, 2009, Proc. pp. 293-296. Lien

TANG M., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C.,

Quantum compact model for ultra-short and ultra-narrow body FinFET,

MOS-AK Meeting of the MOS Modeling and Parameter Extraction Group, Frankfurt /Oder (Germany), April 2-3, 2009. Lien

TANG M., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C.,

Compact modeling of both n- and p-type ultra-short FinFETs,

Joint 7th International IEEE Northeast Workshop on Circuits and Systems and TAISA Conference (NEWCAS-TAISA'09), Toulouse (France), June 28 - July 1, 2009, Proc. pp. 1-4. Lien

2008

DIAGNE B., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., SALLESE J.M., KRUMMENACHER F.,

Explicit compact model for symmetric double-gate MOSFETs including solutions for small-geometry effects,

Solid-State Electronics 52, 2008, pp. 99-106. Lien.

MADEC M., KAMMERER J.B., PRÉGALDINY F., HÉBRARD L., LALLEMENT C.,

Compact modeling of magnetic tunnel junction,

Joint 6th International IEEE Northeast Workshop on Circuits and Systems and TAISA Conference (NEWCAS-TAISA'08), Montréal (Canada), June 22-25, 2008, Proc. pp. 229-232. Lien

2007

O’CONNOR I., LIU J., GAFFIOT F., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., MANEUX C., GOGUET J., FRÉGONÈSE S., ZIMMER T., ANGHEL L., DANG T., LEVEUGLE R.,

CNTFET Modeling and Reconfigurable Logic Circuit Design,

IEEE Transactions on Circuits and Systems - I: Regular papers, vol. 54, n°11, pages 2365 - 2379, novembre 2007. Lien

GRABINSKI W., GRASSER T., GILDENBLAT G., SMIT G., BUCHER M., AARTS A.C.T., TAJIC A., CHAUHAN Y.S., NAPIERALSKI A., FJELDLY T.A., IÑIGUEZ B., IANNACCONE G., KAYAL M., POSCH W., WACHUTKA G., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., LEMAITRE L.,

MOS-AK: Open compact modeling forum,

4th International Workshop on Compact Modeling (IWCM 2007), Yokohama (Japan), January 23, 2007, papier invité. Lien

2006

PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., DIAGNE B., SALLESE J.M., KRUMMENACHER F.,

Compact modeling of emerging technologies with VHDL-AMS,

Advances in Design and Specification Languages for Embedded Systems, 2007, pp. 5-21, Forum on specification & Design Languages (FDL'06), Darmstadt (Germany), September 19-22, 2006, Proc. pp. 23-30, edited by S.A. Huss, Springer, ISBN 978-1-4020-6147-9. Lien

DIAGNE B., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., SALLESE J.M., KRUMMENACHER F.,

Modèle compact de DG MOSFET dédié à la conception de circuits,

7ème Colloque sur le Traitement Analogique de l'Information, du Signal et ses Applications (TAISA'2006), Strasbourg (France), October 19-20, 2006, Actes pp. 105-108.

DIAGNE B., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C.,

Modèle compact de transistor MOS double-grille pour la simulation de circuits,

IXèmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique (JNRDM'2006), Rennes (France), May 10-12, 2006.

LALLEMENT C., PÊCHEUX F., VACHOUX A., PRÉGALDINY F.,

Compact modeling of the MOSFET in VHDL-AMS,

Transistor level modeling for analog/RF IC design, 2006, pp. 243-269, edited by W. Grabinski, B. Nauwelaers, D. Schreurs, Springer Verlag, ISBN 1-4020-4555-7. Lien

PRÉGALDINY F., KRUMMENACHER F., SALLESE J.M., DIAGNE B., LALLEMENT C.,

An explicit quasi-static charge-based compact model for symmetric DG MOSFET,

Workshop on Compact Modeling, NSTI Nanotech 2006, Boston (USA), May 7-11, 2006, Proc. pp. 686-691, ISBN 0-9767985-8-1, papier invité. Lien

PRÉGALDINY F., KRUMMENACHER F., DIAGNE B., PÊCHEUX F., SALLESE J.M., LALLEMENT C.,

Explicit modelling of the double-gate MOSFET with VHDL-AMS,

Int. J. Numer. Model.: Electron. Netw. Devices Fields 19, 2006, pp. 239-256. Lien.

PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., KAMMERER J.B.,

Design-oriented compact models for CNTFETs,

1st IEEE International Conference on Design & Test of Integrated Systems in nanoscale technology (DTIS 06), Tunis (Tunisia), September 5-7, 2006, Proc. pp. 34-39, papier invité. Lien

PRÉGALDINY F., KAMMERER J.B., LALLEMENT C.,

Compact modeling and applications of CNTFETs for analog and digital circuit design,

13th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS 2006), Nice (France), December 10-13, 2006, Proc. pp. 1030-1033. Lien

2005

PÊCHEUX F., LALLEMENT C., VACHOUX A.

VHDL-AMS and Verilog-AMS as alternative HDL's for the Efficient Modeling of Multi-disciplines Schemes,

IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, vol. 24, n°2, pages 204-225, février 2005. Lien

SALLESE J.-M., KRUMMENACHER F., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., ROY A., ENZ C.,

A design oriented current model for DG MOSFET and its correlation with the EKV formalism,

Solid-State Electronics, vol. 49 pages 485-489, mars 2005. Lien

DIAGNE B., PRÉGALDINY F., KRUMMENACHER F., PÊCHEUX F., SALLESE J.M., LALLEMENT C.,

Design oriented model for symmetrical DG-MOSGET,

MOS-AK Meeting, Strasbourg (France), April 8, 2005. Lien

PÊCHEUX F., ALLARD B., LALLEMENT C., VACHOUX A., MOREL H.,

Modeling and simulation of multi-discipline systems using bond graphs and VHDL-AMS,

International Conference on Bond Graph Modeling and Simulation (ICBGM'2005), New Orleans (USA), January 23-27, 2005. Lien

PRÉGALDINY F., LALLEMENT C.,

Fourth generation MOSFET model and its VHDL-AMS implementation,

Int. J. Numer. Model.: Electron. Netw. Devices Fields 18, 2005, pp. 39-48. Lien.

PRÉGALDINY F., KRUMMENACHER F., DIAGNE B., ROY A., SALLESE J.M., LALLEMENT C.,

A closed-form compact model for symmetric Double-Gate (DG) MOSFETs,

MOS-AK Workshop, Grenoble (France), September 16, 2005. Lien

2004

PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., MATHIOT D.,

Accounting for quantum mechanical effects from accumulation to inversion, in a fully analytical surface-potential-based MOSFET model,

Solid-State Electronics, vol. 48, n° 5, pages 781-787, mai 2004. Lien

BUCHER M., LALLEMENT C., KRUMMENACHER F., ENZ C.,

A MOS transistor model for mixed analog-digital circuit design and simulation,

Design of system on a chip: Devices & components, 2004, pp. 49-96, edited by R. Reis, J. Jess, Kluwer Academic Publishers, ISBN 1-4020-7928-1.

LALLEMENT C., PÊCHEUX F., GRABINSKI W.,

High level description of thermodynamical effects in the EKV 2.6 MOST model,

EKV 2.6 Users' Meeting, Lausanne (Switzerland), November 4, 2004, papier invité. Lien

PRÉGALDINY F., LALLEMENT C.,

Fourth generation MOSFET model and its VHDL-AMS implementation,

MOS Modeling and Parameter Extraction Group Meeting, Stuttgart (Germany), May 7, 2004, papier invité. Lien

SALLESE J.M., ROY A., KRUMMENACHER F., PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., ENZ C.,

A design oriented current model for symmetrical DG MOSFET: Correlation with the EKV formalism, EKV 3.0,

Workshop, Lausanne (Switzerland), November 5, 2004, papier invité.

2003

LALLEMENT C., SALLESE J.M., BUCHER M., GRABINSKI W., FAZAN P.C.,

Accounting for quantum effects and polysilicon depletion from weak to strong inversion in a charge-based design-oriented MOSFET model,

IEEE Transactions on Electron Devices 50, 2003, pp. 406-417. Lien.

PÊCHEUX F., LALLEMENT C.,

VHDL-AMS and Verilog-AMS as competitive solutions,

System Specification and Design Languages, 2003, pp. 41-43, 5th Forum on Specification and Design Languages (FDL'02), Marseille (France), September 24-27, 2002, edited by E. Villar, J.P. Mermet, Kluwer Academic Publishers, ISBN 978-1-4020-7414-1. Lien

PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., MATHIOT D.,

Modélisation analytique avancée des capacités parasites du transistor MOS fortement submicronique,

VIèmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique (JNRDM'2003), Toulouse (France), May 14-16, 2003, Actes pp. 311-313. Lien

PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., GRABINSKI W., KAMMERER J.B., MATHIOT D.,

An analytical quantum model for the surface potential of deep-submicron MOSFETs,

10th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES'2003), Lodz (Poland), June 26-28, 2003, Proc. pp. 98-104, papier invité.

PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., MATHIOT D.,

Quantum surface potential model suitable for advanced MOSFETs simulation,

IEEE International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'03), Boston (USA), September 3-5, 2003, Proc. pp. 227-230. Lien

2002

PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., MATHIOT D.,

A simple efficient model of parasitic capacitances of deep-submicron LDD MOSFETs,

Solid-State Electronics, vol. 46, pages 2191-2198, décembre 2002. Lien

BUCHER M., ENZ C., KRUMMENACHER F., SALLESE J.M., LALLEMENT C., PORRET A.S.,

The EKV compact MOS transistor model: Accounting for deep-submicron aspects,

5th International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems (MSM 2002), San Juan (USA), April 22-25, 2002, Proc. pp. 670-673, ISBN 0-9708275-7-1, papier invité. Lien

BUCHER M., SALLESE J.M., KRUMMENACHER F., KAZAZIS D., LALLEMENT C., GRABINSKI W., ENZ C.,

EKV 3.0: An analog design-oriented MOS transistor model,

9th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES'2002), Wroclaw (Poland), June 20-22, 2002, Proc. pp. 51-54, papier invité.

LALLEMENT C., PÊCHEUX F., HERVÉ Y.,

VHDL-AMS case study: The incremental design of an efficient 3rd generation MOS model of deep sub micron transistor,

SOC Design Methodologies, 2002, pp. 467-472, 11th International Conference on Very Large Scale Integration of Systems-on-Chip (IFIP VLSI-SOC 2001), Montpellier (France), December 3-5, 2001, edited by M. Robert, B. Rouzeyre, C. Piguet, M.L. Flottes, Kluwer Academic Publishers, ISBN 1-4020-7148-5. Lien

LALLEMENT C., PÊCHEUX F., GRABINSKI W.,

High level description of thermodynamical effects in the EKV 2.6 MOST model,

9th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES'2002), Wroclaw (Poland), June 20-22, 2002, Proc. pp. 45-50, papier invité.

PRÉGALDINY F., LALLEMENT C., MATHIOT D.,

Extrinsic capacitance model for advanced MOSFET design,

MOS Modeling and Parameter Extraction Group Meeting, Erfurt (Germany), October 21, 2002. Lien

2001

BUCHER M., SALLESE J.M., LALLEMENT C.,

Accounting for quantum effects and polysilicon depletion in an analytical design-oriented MOSFET model,

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 01), Athens (Greece), September 5-7, 2001, Proc. pp. 296-299, edited by D. Tsoukalas, C. Tsamis, Springer Verlag, Vienna, New York, ISBN 3-211-83708-6.

LALLEMENT C., PÊCHEUX F., HERVÉ Y.,

VHDL-AMS design of a MOST model including deep submicron and thermal-electronic effects,

5th IEEE International Workshop on Behavioral Modeling and Simulation (BMAS 2001), Santa Rosa (USA), October 10-12, 2001, Proc. pp. 91-96, ISBN 0-7803-7291-3. Lien

SALLESE J.M., GRABINSKI W., PORRET A.S., BUCHER M., LALLEMENT C., KRUMMENACHER F., ENZ C., FAZAN P.,

Advancements in DC and RF MOSFET modelling with the EPFL-EKV charge based model,

8th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES'2001), Zakopane (Poland), June 21-23, 2001, Proc. pp. 45-52, edited by A. Napieralski, Tech. Univ. Lodz.

2000

SALLESE J.M., BUCHER M., LALLEMENT C.,

Improved analytical modelling of polysilicon depletion in MOSFETs for circuit simulation,

Solid-State Electronics 44, 2000, pp. 905-912. Lien.

SALLESE J.M., BUCHER M., LALLEMENT C., GRABINSKI W.,

Advances in AC modelling of MOSFET using EKV formalism,

Silicon RF-IC: Modeling and Simulation Workshop, Lausanne (Switzerland), February 24-25, 2000.