Technologies pour la CAO

Les travaux de recherche visent à développer des modèles compacts pour les dispositifs consacrés aux circuits analogiques et mixtes. L’objectif est d’apporter des solutions simples, numériquement efficaces et proches de la physique du dispositif. Le premier sujet de recherches traite de la modélisation compacte des transistors MOSFET conventionnels, dits bulk, fortement submicroniques. Il fait l’objet d’une collaboration étroite avec le groupe EKV (LEG-EPFL). Parallèlement à la modélisation compacte des dispositifs CMOS fortement submicroniques, l’étude et la modélisation des transistors multi-grilles (MOSFET à double grille, FinFET) et des transistors à nanotubes de carbone (CNTFET) sont devenues prioritaires. Ces dispositifs devant succéder aux MOSFET conventionnels, ils exigent un effort de recherche important. Il est donc indispensable de développer des modèles performants prenant en compte les nouvelles caractéristiques de ces dispositifs dans le but d’établir un lien fort entre les aspects technologiques et systèmes. Le dernier sujet de recherches concerne la modélisation des systèmes à signaux mixtes avec le langage VHDL-AMS.

MOSFET Bulk

Ce thème de recherche est dédié à la modélisation compacte de MOSFET conventionnels, dits bulk, fortement submicroniques en vue de leur utilisation pour la conception de circuits analogiques et mixtes. L’objectif principal est d’apporter des solutions simples, numériquement efficaces et proches de la physique du dispositif.

L’équipe est impliquée dans le groupe de travail Européen MOS-AK dédié à la modélisation du MOSFET-Bulk et à la caractérisation Lien. En 2005 elle a organisé une rencontre MOS-AK à Strasbourg en coopération avec l’école d’ingénieurs Télécom Physique Strasbourg Lien.

L’équipe est par ailleurs associée au groupe EKV (LEG-EPFL). Une version bêta du modèle MOS EKV v2.6 développée en VHDL-AMS peut être obtenue par téléchargement Lien.