Différences entre les versions de « Technologies pour la CAO »
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| − | + | Afin de répondre aux demandes de plus en plus exigeantes des équipements informatiques et portables, les fabricants de composants se tournent progressivement vers l'intégration 3D consistant à superposer en agencements complexes des puces dans un même boîtier. Une telle approche permet d'envisager la possibilité poursuivre la loi de Moore, voire même de la dépasser ("more than Moore") mais s'accompagne également de nombreux problèmes techniques. En particulier, l'évacuation de la chaleur produite par le circuit intégré est particulièrement délicate et induit une élévation de la température moyenne de fonctionnement ainsi que l'apparition de points chauds. Outre l'augmentation de la consommation, ces problèmes thermiques engendrent également des contraintes mécaniques dues à la dilatation non-uniforme des matériaux, et ont plus généralement un impact négatif sur la fiabilité du circuit. | |
| − | + | En l'occurrence, les mécanismes de vieillissement survenant dans les circuits intégrés (électro-migration, NBTI,...) sont d'autant plus important que la température est élevée. Dans le but de minimiser ces effets délétères, il est désormais essentiel de prendre compte les caractéristiques thermiques et mécaniques dès les premiers stades du développement d'un circuit intégré. | |
In that context, since 2009 we have been working on the development of a multiphysics (i.e. electrothermal and mechanical) simulator, embedded into one of industry's standard CAD tool, namely CADENCE®. Now, our team is in possession of an experimentally validated operational tool dedicated to simulating electrothermal and mechanical behavior in the IC engineering flow. This enables high accuracy circuit behavior simulation and should ultimately allow accurate forecasting of an integrated system's lifetime, i.e. prior to failure. | In that context, since 2009 we have been working on the development of a multiphysics (i.e. electrothermal and mechanical) simulator, embedded into one of industry's standard CAD tool, namely CADENCE®. Now, our team is in possession of an experimentally validated operational tool dedicated to simulating electrothermal and mechanical behavior in the IC engineering flow. This enables high accuracy circuit behavior simulation and should ultimately allow accurate forecasting of an integrated system's lifetime, i.e. prior to failure. | ||
Version du 14 septembre 2016 à 14:19
L'intégration de systèmes toujours plus complexes requière des méthodologies et outils de conception adaptés. En effet, les contraintes fonctionnelles et technologiques sont en constante augmentation alors que les exigences ainsi que le temps de mise sur le marché sont toujours plus serrées. Dans le but de répondre à ces contraintes les approches classiques doivent revues et adaptées. Elles doivent tenir compte de concepts complémentaires tels que le formalisme augmenté, la "réutilisabilité" et la capitalisation des savoirs.
L'équipe SMH développe des modèles compacts et des outils de design multi-physiques dédiés aux systèmes instrumentaux à architectures analogiques et mixtes. Nous développons de nouvelles approches de conception pour les systèmes multidisciplinaires en nous basant sur la spécification formelle et les langages de description matériel. Ceci est réalisé en étendant le champ d'application de techniques de mathématiques, développées dans d'autre buts tel que l'arithmétique des intervalles. L'objectif est d'améliorer les vitesses de calcul des simulateurs tout en restant au plus proche du comportement physique des dispositifs avancés.
Modélisation compacte
Cette activité de recherche se concentre principalement sur la modélisation compacte de nouveaux composants de base tels que les transistors ultimes et également les capteurs à échelle micro et nanométrique développés par l'équipe.
Une large part de ces activités est consacrée à la modélisation de transistors FET ultimes. Depuis plus de 20 ans, notre équipe travaille étroitement sur ce sujet avec des équipes de l'EPFL (Lausanne, Suisse) et l'URV (Tarragone, Espagne). Nous avons réalisé des modèles compacts de FinFET et transistors MOS multi-grilles (à deux, trois, quatre grilles et GAA). Nous travaillons également sur la modélisation de FETs sans jonction à base de nano-fils, qui présentes des performances prometteuses pour les futurs générations de circuits intégrés haute-performance.
La modélisation de capteurs représente un autre volet de nos activités et constitue une étape nécessaire à l'optimisation des systèmes instrumentaux intégrés. Dans ce cadre, nous avons développé des modèles de capteurs magnétiques à effet Hall (HHD and VHD) et à déflection de charges (CHOPFET).
Plus récemment, nous avons initié de nouveaux projets sur la modélisation de capteurs chimiques. Plus spécifiquemet, nous avons étudié des types de cateurs, ceux à base de FETs à nanotubes de carbone d'une part (CNTFET), et les FETs sensibles aux ions (ISFET) d'autre part. Ces deux composant peuvent potentiellement être fonctionnalisés pour être utilisés comme biocapteurs.
Projets en lien
Les principaux projets en lien avec les activités de modélisation compacte sont :
- FP7 COMON, ended 2012, "Modeling of multi-gate SOI transistors and of junction-free nanowire-based transistors"
- XYZ-IRM project, "Development of a dedicated system for active minimally-invasive surgery tools tracking in IRM environment"
- ANR CAPTEX, 2010-2013, "Modeling of CNTFET-based explosive gas sensors and development of their dedicated fully integrated conditioning electronics"
- industrial project in collaboration with BURKERT company, "Virtual prototyping of Lab-on-Chip (LoC) for pollutant detection"
Modélisation multi-physiques haut niveau et outils de simulation
Afin de répondre aux demandes de plus en plus exigeantes des équipements informatiques et portables, les fabricants de composants se tournent progressivement vers l'intégration 3D consistant à superposer en agencements complexes des puces dans un même boîtier. Une telle approche permet d'envisager la possibilité poursuivre la loi de Moore, voire même de la dépasser ("more than Moore") mais s'accompagne également de nombreux problèmes techniques. En particulier, l'évacuation de la chaleur produite par le circuit intégré est particulièrement délicate et induit une élévation de la température moyenne de fonctionnement ainsi que l'apparition de points chauds. Outre l'augmentation de la consommation, ces problèmes thermiques engendrent également des contraintes mécaniques dues à la dilatation non-uniforme des matériaux, et ont plus généralement un impact négatif sur la fiabilité du circuit.
En l'occurrence, les mécanismes de vieillissement survenant dans les circuits intégrés (électro-migration, NBTI,...) sont d'autant plus important que la température est élevée. Dans le but de minimiser ces effets délétères, il est désormais essentiel de prendre compte les caractéristiques thermiques et mécaniques dès les premiers stades du développement d'un circuit intégré.
In that context, since 2009 we have been working on the development of a multiphysics (i.e. electrothermal and mechanical) simulator, embedded into one of industry's standard CAD tool, namely CADENCE®. Now, our team is in possession of an experimentally validated operational tool dedicated to simulating electrothermal and mechanical behavior in the IC engineering flow. This enables high accuracy circuit behavior simulation and should ultimately allow accurate forecasting of an integrated system's lifetime, i.e. prior to failure.
Related projects
The principal projects related to the compact modeling activities are:
- ANR 3D-IDEAS, ended 2012, "Integration and 3D conception technology for imaging systems and applications"
