LALLEMENT Christophe

Professeur des Universités à Télécom Physique Strasbourg Lien

Responsable de l'équipe Systèmes et Micro-systèmes Hétérogènes
Responsable de la thématique Modélisation compacte des dispositifs avancés

Activités de recherche

• Modélisation compacte des dispositifs avancés :
  • FinFET, MuGFET, MOSFET-Bulk, Modèle EKV Lien
  • CNTFET
  • BioBriques & Biologie synthétique
  • Lab-on-chip
• Modélisation de dispositifs hétérogènes et langages associés:

Activités d'enseignement

• Modélisation compacte des transistors MOSFETs submicroniques (M2 MNE)
• Caractérisation des dispositifs (3A opt. MNE)
• Microsystèmes (3A opt MNE, M2 MNE)
• Microsystèmes dédiés à la santé (3A opt ISPV, 2A TIC-santé)
• Electronique Rapide (3A opt. MNE)
• Technologie des composants passifs (3A opt. MNE)
• Biosystèmes (2A)
• Labview (2A)
• CA0 (1A)

Responsabilités

• Co-responsable du diplôme TIC-santé de Télécom Physique Strasbourg. Lien
• Membre du comité de direction de ICube.
• Membre du bureau de direction de Télécom Physique Strasbourg.
• Membre du Conseil de Télécom Physique Strasbourg.
• Membre élu du CNU 63ème section. Lien

Publications les plus significatives

• J. Haiech, Y. Gendrault, M.-C. Kilhoffer, R. Ranjeva, M. Madec, C. Lallement, “A general framework improving teaching ligand binding to a macromolecule”, in BBA(Biochimica et Biophysica Acta) - Molecular Cell Research, under press, 2014

• Y. Gendrault, M. Madec, C. Lallement, J. Haiech, “Modeling biology with HDL languages: a first step toward a Genetic Design Automation tool inspired from microelectronics” in IEEE Transactions on Biomedical Engineering, n° 4, vol. 61, pages 1231-1240, avril 2014.
• J.-M. Sallese, F. Jazaeri, L. Barbut, N. Chevillon, C. Lallement, “A Common Core Model for Junctionless Nanowires and Symmetric Double-Gate FETs,” IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 60, pages: 4277-4280, Déc. 2013
• Chevillon N., Sallese J.-M. , Lallement C., Prégaldiny F., Madec M., Sedlmeir J. and Aghassi J., “Generalization of the Concept of Equivalent Thickness and Capacitance to Multigate MOSFETs Modeling”, IEEE Transaction on Electron Devices, vol. 59, N° 1, pages 60-71, 2012 Lien
• Gendrault Y., Madec M., Lallement C., Pêcheux F., Haiech J., “Synthetic biology methodology and model refinement based on microelectronic modeling tools and languages” in Biotechnologies Journal, vol. 6, pp. 796-806, 2011. Lien
• Heitz J., Leroy Y., Hebrard L., Lallement C., “Theoretical characterization of the topology of connected carbon nanotubes in random networks”, Nanotechnology 22, 345703, pages 1-7, 2011. Lien
• Sallese J.-M., Chevillon N., Lallement C., Iñiguez B., Prégaldiny F., “Charge Based Modelling of Junctionless Double Gate Field-Effect Transistors”, IEEE Transactions on Electron Devices,vol. 58, pages 2628-2637, août 2011.Lien
• Yesayan A., Prégaldiny F., Chevillon N., Lallement C., Sallese J.-M., “Physics-based compact model for ultra-scaled finFETs, Solid-State Electronics, vol. 62, pages 165-173, août 2011.Lien
• O’Connor I., Liu J., Gaffiot F., Prégaldiny F., Lallement C., Maneux C., Goguet J., Frégonèse S., Zimmer T., Anghel L., Dang T., Leveugle R., “CNTFET Modeling and Reconfigurable Logic Circuit Design”, IEEE Transactions on Circuits and Systems - I: Regular papers, vol. 54, n°11, pages 2365 - 2379, novembre 2007. Lien
• Pêcheux F., Lallement C., Vachoux A., “VHDL-AMS and Verilog-AMS as alternative HDL's for the Efficient Modeling of Multi-disciplines Schemes,” IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, vol. 24, n°2, pages 204-225, février 2005. Lien
• Sallese J.-M., Krummenacher F., Prégaldiny F., Lallement C., Roy A., Enz C., “A design oriented current model for DG MOSFET and its correlation with the EKV formalism,” Solid-State Electronics, vol. 49 pages 485-489, mars 2005. Lien
• Prégaldiny F., Lallement C., Mathiot D., “Accounting for quantum mechanical effects from accumulation to inversion, in a fully analytical surface-potential-based MOSFET model”, Solid-State Electronics, vol. 48, n° 5, pages 781-787, mai 2004. Lien
• Prégaldiny F., Lallement C., Mathiot D., “A simple efficient model of parasitic capacitances of deep-submicron LDD MOSFETs,” Solid-State Electronics, vol. 46, pages 2191-2198, décembre 2002. Lien

Contact

Christophe LALLEMENT
ICube (UMR CNRS/UdS 7357)  /  Télecom Physique Strasbourg

Pôle API
300 Boulevard Sébastien Brant
BP 10413
67412 Illkirch cedex
FRANCE

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Tel: +33 (0)3 68 85 44 23
Courriel: c.lallement@unistra.fr

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