EL GHOULI Salim

Doctorant

Dirigé par Pr. Christophe Lallement

sous la direction de C. Lallement et Jean-Michel Sallèse

Etude et modélisation du comportement fréquentiel du transistor MOS du type UTBB FDSOI pour la conception de circuits intégrés à Hautes Fréquences et basse consommation.

Nous nous intéressons au modèle de transistor du type UTBB FDSOI dans le but de servir les applications de conception de circuits dédiés aux signaux Analogues Mixtes, Hautes Fréquences, et nécessitant une très faible consommation. Le transistor UTBB FDSOI dispose d’une double-grille asymétrique; la grille avant est destinée à contrôler la performance nominale, et la grille arrière permet par le biais d’un contrôle électrostatique du canal de moduler le compromis entre performance et consommation. Les performances seront ensuite comparées au modèle FinFET 3D (BSIM CMG et EPFL-ICube ).

L’objectif de la thèse est de développer une méthodologie de caractérisation, de modélisation du comportement du transistor UTBB FDSOI en fonction de la fréquence et de valider cette approche dans les différents régimes de fonctionnement rencontrées par les signaux Analogues Mixtes et Hautes fréquences. Nous nous appuierons sur le travail de modélisation déjà réalisé au niveau des cœurs des modèles (UTSOI, BSIM IMG) pour les applications de circuits logiques et mémoires, et nous nous concentrerons sur les aspects spécifiques de modélisation non couverts jusqu’à ce jour et affectant l’intégrité des signaux Analogues Mixtes et Hautes Fréquences.